芯片制造巨头台积电的3纳米制程芯片开发取得突破。

4月12日，《联合报》报道，一度因开发时程延误的台积电3纳米制程近期获得重大突破。台积电决定今年率先量产第二版3纳米制程，命名为“N3B”。

据报道，台积电将于今年8月于新竹十二厂研发中心第八期工厂及南科十八厂P5厂同步投片，正式以鳍式场效晶体管(FinFET)架构，对决三星的环绕闸极(GAA)制程。

台积电和三星是追逐芯片先进制程的主要对手。今年2月份，据韩媒THEELEC报道，三星电子正在为全球最领先的3纳米GAA制程技术的量产而做准备。三星计划与主要客户公司在今年上半年内完成产品的设计及质量认证的工作。

业界传言，之前因台积电开发时程延误，导致苹果手机新一代处理器今年仍采用5纳米加强版N4P。

台湾《联合报》报道，目前台积电初步规划新竹工厂每月产能约1万至2万片，台南工厂产能为1.5万片。

今年1月份，台积电总裁魏哲家在法人说明会上表示，台积电3纳米制程进展符合预期，将于今年下半年量产，客户也比预期多。同时，他还指出，3纳米制程将主要应用于高效应运算及智能手机领域，预期3纳米将是继5纳米之后，另一大规模世代制程。

今年第一季度，台积电营收同比增长35.5%至4910.8亿新台币，创下历史新高。

资讯来源：美股投资网 TradesMax