半导体美光 MU为什么下跌？

2021-10-12

今天芯片、半导体板块下挫严重，美光 MU 跌4%，原因是技术市场研究和分析机构TrendForce预计，随著买方对DRAM（动态随机内存）的採购动能收敛，加上现货价格领跌，第4季合约价反转机会大，预估将下跌3~8%，结束仅三个季度的上涨週期；另外，预估明年需求成长较供给端的成长低，DRAM产业将由供不应求将转成供过于求，DRAM产业将进入跌价週期。

TrendForce认为，在买卖双方心理博弈下，后续供给方的扩产策略，与需求端的成长力道将成为影响明年DRAM产业走势最关键的因素。以目前进度看来，明年三大DRAM原厂的扩厂规划仍然显的保守，预估明年的供给位元成长率约17.9%，但由于目前买方库存水位已偏高，加上明年需求位元成长率仅16.3%，低于供给端的成长速度，明年DRAM产业将由供不应求将转至供过于求。

就DRAM供给面来看，今年上半年採购方都在供应链混乱的情势下扩大採买力道，带动原厂的出货状况皆优于预期，DRAM库存水位因此明显降低。随著伺服器业者动能回温，供应商乐观看待其带来的DRAM需求成长。其中，三星、SK海力士都有小幅增加投片，加上原厂制程持续朝向1Z nm及1alpha nm转进的带动，预估明年整体DRAM产业的供给端位元成长率将达17.9%。

龙头厂三星（Samsung）主要投片增幅落在仍有较大空间的P2L，投片规模将有持续上修的可能。儘管目前增幅不大，主要靠先进制程的挹注，但仍将带动三星明年供给位元成长率达19.6%，为三大原厂最高。此外，最新的P3L预计明年中完工，虽对明年产出贡献尚低，但将持续提供2023年以后的成长动能。

随著DDR3市况的走弱，SK海力士（SK Hynix）旧厂M10明年DRAM投片有机会加速转换至逻辑IC产品；不过最新的M16厂在今年加入生产后，明年总产能将持续扩大，并配合市场状况动态做调整。以目前计画看来，SK hynix重心在1Y nm及1Z nm的制程提升，估计将带动其明年的供给位元成长率约17.7%。

美光（Micron）A3厂周边新增的空间主要是辅助该厂往下一代制程做转换时，避免有产能减损（wafer loss），因此今明两年来看，总产能其实变化并不大，美光主要仰赖1Z nm及最新1alpha nm所带来的位元增加。照现阶段客户导入进度来看，美光的1alpha nm进展相当顺利，且是三大厂中转换最快的业者，预计明年的供给位元成长率为16.3%。

台厂方面，南亚科新厂完工将落在2024年；华邦电新厂估计明年下半年以试产为主，对于供给市场的影响有限。预计明年台厂对DRAM供给的增幅贡献都将十分有限。

需求面部分，以DRAM消耗量占比最高的智慧型手机、伺服器及笔电市场来看，三大产品今年以来的成长力道相当强劲，也相对垫高明年的比较基础，明年生产或出货量要出现大幅成长的难度增加。此外，各大产业持续受零组件缺料所苦，终端产品组装受限将使长料的DRAM需求量下滑。整体来看，明年DRAM需求端的位元成长率预估仅16.3%，将低于供给端的增速。

以智慧型手机领域来看，包含手机用的主晶片、driver IC等零组件缺料问题短期依然无解，将导致原本就是淡季的明年第一季出货表现恐不尽理想。后续随著厂商新机的发布，生产量逐季增加的可能性高，目前估计明年全年生产量约14亿支，年成长幅度仅约3.5%，且若半导体零件缺货延续时间更长，恐仍有下修风险。

明年mobile DRAM领域的成长力道将主要来自于content per box（每支智慧型手机搭载DRAM容量）的提升，预估明年占整体DRAM市场消耗四成的mobile DRAM，需求位元成长率仅约15%，相比过往动辄两成以上，成长力道实属疲弱。

以伺服器领域来看，该产业同样受到各种PMIC、被动元件及东南亚组装受阻等供应链问题所扰，预估将延烧到明年，目前预计明年伺服器整机出货总量年成长约4.3%，主要动能仍来自于云端服务供应商的扩建。

随著2021年Intel Ice Lake的市占率开始攀升，配合原厂导入生产更多高单容量颗粒（16Gb mono die），市场对于64GB模组的需求显著上扬。此外，2022年在Intel下一代Xeon伺服器处理器Sapphire Rapids的加入，估计64GB的渗透率将一举突破六成，将进一步带动2022年server DRAM需求位元成长率达20%，成长力道已属众产品中最高者。